核心制造能力突破

1. 技术升级

   • 采用300mm（12英寸）晶圆生产线，较传统200mm产线提升晶圆利用率40%，单片芯片成本降低30%。

   • 集成深沟槽栅极技术，实现开关损耗降低15%；铜线键合工艺使热阻系数改善20%。

2. 产能规划

   • 一期月产能达3万片300mm晶圆（等效8英寸晶圆7.5万片），可满足300万辆电动车功率器件需求

   • 60%产能定向供应车规级SiC-IGBT模块，支持800V高压平台。

市场战略布局

• 新能源汽车：抢占全球电动车21%年增长红利，车规IGBT全球份额目标从8%提升至2026年12%。

• 工业自动化：30%产能用于2000V高压MOSFET，适配工业机器人年产量68万台需求。

• 碳中和承诺：工厂100%使用可再生能源，年减碳量相当于1.2万辆燃油车排放。

未来发展规划

• 二期工程预留4万片/月扩产空间，2026年根据市场趋势决策建设。

• 与罗姆合资的SiC晶圆厂实现衬底自主供应，构建垂直产业链。

• 工厂投产将助推东芝功率半导体业务营收在2025财年突破30亿美元。

行业影响：新工厂标志着日本功率半导体制造能力跃升，有望打破英飞凌、安森美的市场主导格局。随着2025年量产启动，东芝将成为全球车规级功率器件核心供应商。