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CRZ12(TE85L,Q,M)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

CRZ12(TE85L,Q,M) 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）12V
  • 容差±10%
  • 功率 - 最大值700mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）30 Ohms
  • 不同Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 8V
  • 不同 If 时的电压 - 正向（Vf1V @ 200mA
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装S-FLAT（1.6x3.5）
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  • 可选

现货极具优势

无起订量限制

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