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RN1710JE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7K?, Q1BER=

RN1710JE(TE85L,F) 详细信息
  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 晶体管类型2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50V
  • 电阻器 - 基底（R1）4.7 千欧
  • 电阻器 - 发射极基底（R2）-
  • 不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）120 @ 1mA，5V
  • 不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）300mV @ 250µA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁250MHz
  • 功率 - 最大值100mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-553
  • 供应商器件封装ESV
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  • 可选

现货极具优势

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