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GT10J312(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：IGBT 600V 10A 60W TO220SM

GT10J312(Q) 详细信息
  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）10A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)20A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.7V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值60W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷标准
  • 25°C 时 Td（开/关）值400ns/400ns
  • 测试条件300V，10A，100 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）200ns
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装TO-220SM
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