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GT10G131(TE12L,Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：IGBT 400V 1W 8-SOIC

GT10G131(TE12L,Q) 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）400V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）400V
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)200A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.3V @ 4V， 200A
  • 功率 - 最大值1W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷标准
  • 25°C 时 Td（开/关）值3.1µs/2µs
  • 测试条件-
  • 反向恢复时间（trr）-
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOP（5.5x6.0）
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  • 可选

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