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SSM6L13TU(T5L,F,T)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

批号:19+

数量:2000+

功能:MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

SSM6L13TU(T5L,F,T) 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平栅极,1.8V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)800mA(Ta)
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)143 毫欧 @ 600mA,4V,234 毫欧 @ 600mA,4V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)-
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)268pF @ 10V,250pF @ 10V
  • 功率 - 最大值500mW
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装UF6
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  • 可选

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