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SSM6P35FE,LM

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6

SSM6P35FE,LM 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）8 欧姆 @ 50mA，4V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）-
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）12.2pF @ 3V
  • 功率 - 最大值150mW
  • 工作温度150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装ES6
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