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TPC8213-H(TE12LQ,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

TPC8213-H(TE12LQ,M 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）60V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）50 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）11nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）625pF @ 10V
  • 功率 - 最大值450mW
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOP（5.5x6.0）
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  • 可选

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