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TK12P60W,RVQ(S

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

TK12P60W,RVQ(S 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列DTMOSIV
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）340 毫欧 @ 5.8A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.7V @ 600µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）25nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）890pF @ 300V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）100W（Tc）
  • 工作温度150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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