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2SK2845(TE16L1,Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 900V 1A DP

2SK2845(TE16L1,Q) 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）900V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）9 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）15nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）350pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）40W（Tc）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DP
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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