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TPC8021-H(TE12LQ,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

TPC8021-H(TE12LQ,M 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）17 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）11nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）640pF @ 10V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1W（Ta）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP（5.5x6.0）
  • 封装/外壳8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
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